在晶圓制造設備開發與制程運維中，很多工程師都會遇到同一個痛點：
刻蝕、成膜、超臨界清洗等工藝腔體溫度極高，常規壓力傳感器上限大多 120℃，無法直接貼近高溫介質測量。
如果加裝引壓管路、配套冷卻結構，不僅占用設備空間，還容易產生介質滯留、壓力滯后，影響工藝壓力閉環控制精度，直接威脅晶圓良率。

日本 NAGANO KEIKI 長野計器 ZT17_200℃ 半導體專用高溫壓力傳感器，專為半導體高溫工藝打造，解決高溫環境原位壓力測量難題。

產品核心優勢

? *高 200℃介質直接測量
突破常規傳感器溫度上限，傳感探頭可直接接觸 200℃高溫流體，無需復雜冷卻回路、加長引壓管，簡化設備管路布局，消除壓力傳輸滯后問題。

? 無封裝液**結構，杜絕污染風險
采用無需密封填充液的一體式結構，從根源規避封裝液滲漏、析出污染高純工藝介質的風險，契合半導體潔凈制程要求，結構穩定可靠。

? 高溫環境保持高精度測量
搭載自研傳感元件，在寬溫區間維持穩定測量精度，保障高溫工藝下壓力數據連續、可信，支撐工藝參數穩定復現。

? 分體式組合方案，靈活適配設備布局
傳感器探頭與專用放大器分離設計：探頭耐受 - 20~200℃高溫，放大器放置在常溫區域安裝，**適配腔體周邊高溫、電控區域控溫的設備布局。

? 齊**際認證
具備 CE、UKCA、RoHS 認證，滿足半導體出口設備合規標準。

典型適配半導體工藝場景

? 干法刻蝕設備腔體壓力監測
? CVD、ALD 薄膜沉積高溫制程壓力采集
? 超臨界流體清洗設備壓力測控
? 固態源氣化供給管路壓力監控
? 擴散、退火爐高溫工藝回路壓力檢測

選型關鍵提示

傳感器探頭與專用放大器必須配套使用，整套實現溫度補償與標準化信號輸出；

1. 探頭部分長期處于 200℃工況，放大器避免高溫環境擺放；
2. 支持 VCR 等高潔凈半導體標準接口，適配高純氣體、特種流體管路。

對于半導體設備廠商、工藝工程師而言，當產線存在200℃高溫介質原位測壓需求，傳統傳感器搭配冷卻組件方案繁瑣、故障率高。
長野計器 ZT17（200℃）高溫壓力傳感器依靠耐高溫能力、無滲漏潔凈結構、分體式模塊化設計，是半導體高溫制程壓力監測優選方案。

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